弁言OPC（Optical Proximity Correction）即光学附近校订，是一种光刻辨别率加强技巧，经由过程对掩膜版上图形的修改来补充因衍射受限成像而招致的图像掉真，进而进步芯片制作进程中的良率。西方晶源自2014年景破之初即发明性提出基于CPU+GPU混杂算力构架实现的全芯片反向光刻技巧（ILT）盘算光刻处理计划，并基于此构成PanGen®良率综合优化产物。历经10年的开辟与迭代，该产物曾经普遍利用于海内主流逻辑跟存储芯片制作商的工艺研发跟量产中。产物先容2024年11月，西方晶源针对海内前沿客户的需要不断改进推出PanGen®V5.0版本。该产物重要特点及功效包含：连续全芯片反向光刻技巧思绪，推出满意差别掩膜庞杂度的ILT处理计划，包含Freeform Sbar，Freeform mask，以及curvelinear mask等。基于Manhattan图形化的Freeform mask处理计划在进步节点制作中取得硅片验证，成果标明针对孔形幅员晋升光刻工艺窗口（Process window） 20%以上。片面支撑主流x86、英伟达GPU盘算集群生态以及ARM盘算集群、海光DCU等国产盘算集群。同时，PanGen®V5.0支撑云效劳与云盘算。为满意进步封装工艺年夜幅员OPC的需要，PanGen BigOPC®产物支撑多掩模拼接曝光技巧。针对硅光器件制作工艺仿真优化的需要，PanGen®V5.0支撑多种曲线幅员的处置功效，能够对恣意曲折图形的掩模优化跟光刻规矩停止检讨。同时，斟酌到硅光器件与传统芯片的需要差异，还特殊开辟了曲线目的幅员掩膜优化功效，并已取得客户验证。针对高端芯片制作，刻蚀的长程负载效应（loading effect）是影响晶圆量产良率的重要要素之一。 为此，PanGen®V5.0开辟基于AI的刻蚀模子跟刻蚀主动弥补机制，能够无效猜测长程负载效应，并主动盘算刻蚀弥补量，从而加强图形的分歧性，无效进步了客户的综合良率。瞻望：西方晶源将判若两人的深深扎根于客户需要的泥土，连续深入技巧翻新，连续产物迭代研发，一直拓展产物线笼罩面，一直完美产物功效，一直晋升产物机能，踊跃践行HPO（Holistic Process Optimization）良率最年夜化技巧道路跟产物计划理念，向着打造中国芯片制作的GoldenFlow的目的尽力前行。实在处理客户在芯片制作进程中的技巧成绩，为客户供给与时俱进的盘算光刻处理计划，为客户发明代价！ 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->